华为取得重大突破，创新10nm以下微芯片制造机，该公司已为 EUV 光刻技术的一个组件申请了专利，直到现在，该技术仅由荷兰公司 ASML 主导，美国此前已向荷兰当局施压，不允许其出口到中国。
华为为EUV光刻系统中的一个组件申请了专利，该组件是在制造低于10nm制程高端处理器所需的。它解决了由紫外光产生的干涉图案的问题，否则会使晶圆不均匀，这增加了华为未来自己制造先进制程芯片的可能。另有报道称美国曾迫使荷兰官员拒绝向中国发放任何出口许可证。
华为在芯片制造的最后一步解决了由极紫外（EUV）光的微小波长引起的问题。它的专利描述了一种反射镜阵列，将光束分割成多个子光束，这些子光束与它们自己的显微反射镜碰撞。这些反射镜中的每一个都以不同的方式旋转，以在光线中产生不同的干涉图案，因此当它们重新组合时，干涉图案会抵消，从而产生一个均匀的光束。
华为需要使用EUV光刻技术的先进工艺，以继续改进其定制处理器，该处理器面向从智能手机到数据中心的所有领域。在制造自己的EUV系统方面，还有很长的路要走，让我们一起为华为加油，为中国加油！
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