在推出7 nm的格芯研发之后，冲刺先进制程工艺的争夺战主要在台积电、 Intel、三星中展开。
最近，台积电的2 nm研发取得了重大突破，已经成功地找到了一条通路，可以切入环形栅极技术(gate-all-around，或 GAA)技术领域。
据介绍，台积电负责研发的资深副总经理罗唯仁，也为此举行了庆功宴，感谢研发工程师的辛勤付出。
早些时候报道，台积电预计明年上半年在南科18厂P4厂进行3纳米制程试验，2022年量产。据推算，台积电最快将于2023年推出2纳米制程。
友好的商界人士说，三星最近重新调整了芯片的工艺路线图，计划2021年量产的三星4 nm，将从5 nm直接提升至3 nm GAFET，以应对未来的市场竞争。
三星先前透露，与7 nm FinFET相比，3 nm GAAFET可以降低50%的能耗，提高30%的性能。
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