台积电2nm取得重大突破

在推出7 nm的格芯研发之后,冲刺先进制程工艺的争夺战主要在台积电、 Intel、三星中展开。

台积电2nm取得重大突破
台积电2nm取得重大突破

最近,台积电的2 nm研发取得了重大突破,已经成功地找到了一条通路,可以切入环形栅极技术(gate-all-around,或 GAA)技术领域。

据介绍,台积电负责研发的资深副总经理罗唯仁,也为此举行了庆功宴,感谢研发工程师的辛勤付出。

早些时候报道,台积电预计明年上半年在南科18厂P4厂进行3纳米制程试验,2022年量产。据推算,台积电最快将于2023年推出2纳米制程。

友好的商界人士说,三星最近重新调整了芯片的工艺路线图,计划2021年量产的三星4 nm,将从5 nm直接提升至3 nm GAFET,以应对未来的市场竞争。

三星先前透露,与7 nm FinFET相比,3 nm GAAFET可以降低50%的能耗,提高30%的性能。

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